一）：材料特性对比：
1）：第三代半导体比第一代半导体拥有更大禁带宽带。具有较低的本征泄露电流和较高的工作温度。
2 ）：更大的临界击穿电场。对于同样的击穿电压，SiC和GaN材料的飘移区厚度可以比硅器件小1/10左右。
3）：由于e绝缘击穿场强较大，可以获得较低的Rdson值。
二）：工艺结构对比：
1）：第三代半导体比第一代半导体拥有更大禁带宽带。具有较低的本征泄露电流和较高的工作温度。
2 ）：更大的临界击穿电场。对于同样的击穿电压，SiC和GaN材料的飘移区厚度可以比硅器件小1/10左右。
3）：由于e绝缘击穿场强较大，可以获得较低的Rdson值。
二）：工艺结构对比：
1）：GaN体内PN结特性，即无体二极管特性
2）：D,S间导体通过中间电子层导通，双向可导通
3）：:耗尽型D-MODE GaN需要负压关断，目前使用的为E-MODE GaN，可以实现零电压关断
4）：E-MODE GaN有凹槽型增强型、P型GaN栅增强型、共源共栅增强型、
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